Nueva planta de desarrollo de micro y nanotecnología, Innofab ubicada en Cerdanyola del Vallés (Barcelona).
La nueva planta incluirá una sala blanca de más de 2.000 m2 dedicada al desarrollo de micro y nanotecnologías innovadoras basadas en semiconductores avanzados (“beyond-CMOS”). El proyecto contempla la construcción de tres edificaciones diferenciadas: edificio FAB, distribuido en cuatro plantas de unos 2.650 m2 cada una, edifico de oficinas y laboratorios aproximadamente de 7.300 m2 y edificio auxiliar de servicios aproximadamente 4.000 m2, que albergará los principales sistemas de generación y distribución de energía para el resto de las edificaciones.

• Superficie construida 22.051 m2